晶体硅生产一般工艺流程【图】
POCl3磷扩散原理：
1. POCl3在高温下(>600℃)分解生成五氯化磷(PCl5)和五氧化二磷(P2O5)，其反应式如下：
2.生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅(SiO2)和磷原子，其反应式如下：
3由上面反应式可以看出，POCl3热分解时，如果没有外来的氧(O2)参与其分解是不充分的，生成的PCl5是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。但在有外来O2存在的情况下，PCl5会进一步分解成P2O5并放出氯气(Cl2)。
4.生成的P2O5又进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使POCl3充分的分解和避免PCl5对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气 。
5. 在有氧气的存在时，POCl3热分解的反应式为： 4POCL3+5O2→2P2O5+6CL2
6. POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P2O5与硅反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一层含P2O5的SIO2(磷硅玻璃)，然后磷原子再向硅中进行扩散 。
影响扩散的因素：
1.管内气体中杂质源浓度的大小决定着硅片N型区域磷浓度的大小。
2.表面的杂质源达到一定程度时，将对N型区域的磷浓度改变影响不大。
3.扩散温度和扩散时间对扩散结深影响较大。
4.N型区域磷浓度和扩散结深共同决定着方块电阻的大小。
安全操作：所有的石英器具都必须轻拿轻放。源瓶更换的标准操作过程。依次关闭进气阀门、出气阀门，拔出连接管道，更换源瓶，连接管道，打开出气阀门、进气阀门。
⑷周边刻蚀
周边刻腐目的：
1.去除硅片周边的n层，防止短路。
2.工艺方法有等离子刻蚀和激光划边。
3.我们采用等离子刻蚀机把周边n层刻蚀掉。
刻蚀方法：等离子刻蚀和湿法刻蚀。
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