晶体硅生产一般工艺流程【图】
等离子体刻蚀原理：
等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌 。
1.母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。
2.其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，并在表面上发生化学反应。
3.生产过程中，CF4中掺入O2，这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。
刻蚀影响因素：刻蚀时间和射频功率
硅片作为晶体硅太阳能电池的基础材料，其质量对电池性能有很重要影响，下面以单晶硅片举例说明：
一、少子寿命对电池性能的影响
少子寿命是指半导体材料在外界注入(光或电)停止后，少数载流子从最大值衰减到无注入时的初值之间的平均时间。少子寿命值越大，相应的材料质量越好
二、早期光致衰减对电池性能的影响
1.早期光致衰减机理
光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合体，从而使少子寿命降低，但经过退火处理，少子寿命又可恢复
2.危害
一方面会引起组件功率在使用的最初几天内发生较大幅度的下降，使标称功率和实际功率不符
另一方面，如果同一组件内各个电池片光致衰减不一致，会造成原本分选时电性能一致的电池片，经过光照后，电性能存在很大偏差，引起组件曲线异常和热斑现象，导致组件早期失效
热斑电池的温度与周电池的温度相差较大，过热区域可引起EVA加快老化变黄，使该区域透光率下降，从而使热斑进一步恶化，导致组件的早期失效。
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