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日本产综研通过蚀刻实现100μm级太阳能电池硅晶圆切割

2007-07-24 08:46
Minor昔年
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日本产业技术综合研究所(简称产综研)开发出了利用基于等离子体蚀刻(Etching)从硅块切割硅晶圆的技术,并在“第3届太阳光发电研究中心成果报告会”上做了报告。该成果是产综研与东洋先进机床(Toyo Advanced Technologies)共同开发出来的。

其原理为,在氟类气体环境中,在板状的Cu电极和硅块间施加高电压,通过Cu电极和硅块间出现的等离子体生成氟,利用氟对硅进行蚀刻。使用厚度80μm的Cu电极切断截面5mm见方的硅块时的切割宽度为100μm,切割速度为1.3μm/秒。

报告会上还披露了2枚电极同时切割的结果。晶圆厚度和切割宽度均为100μm。产综研表示,今后将通过Cu电极的位置和电压施加方法的优化,来推进切割速度的提高等改进。

现有的采用钢丝和磨粒的切削,切割宽度多为180μm左右。一般认为,为保持所能承受的切割强度,钢丝直径的减小有一定的限度,所以100μm以下的切割宽度很难实现。为了解决上述问题,除此次的等离子体蚀刻外,利用钢丝的放电进行切割的技术开发也正在进行之中。

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