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美国Silicon Genesis涉足太阳能电池底板市场

导读: 开发SOI(SiliconOnInsulator)晶圆技术的美国SiliconGenesis公司2008年7月11日宣布,成功研制出使用“PolyMax”晶圆工艺技术的太阳能电池底板。该公司将使用该技术,涉足太阳能电池晶圆市场。

   开发SOI(SiliconOnInsulator)晶圆技术的美国SiliconGenesis公司2008年7月11日宣布,成功研制出使用“PolyMax”晶圆工艺技术的太阳能电池底板。该公司将使用该技术,涉足太阳能电池晶圆市场。
  
  
   利用PolyMax技术的晶圆制造设备,除消除切割损失,大幅减少将硅锭切割成晶圆的工序中多结晶硅的使用量之外,还能够在晶圆制造过程中省去部分费用较大的耗材。另外,该公司表示,用该设备以单结晶硅制造高效太阳能电池单元,还有望缓解原材料——多结晶硅的短缺状况。
  
  
   该公司此次制造了厚50μm的125mm晶圆样品。还计划在2009年春季之前,利用PolyMax晶圆工艺技术,启动将硅锭切割成厚50~150μm的晶圆的试验生产线。
  
  
   该公司预定在2008年9月1~5日于西班牙举办的“23rdEuropeanPhotovoltaicConference”上,公开PolyMax晶圆工艺技术及其设备的详细情况。
  
  
   (编辑:xiaoyao)
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