近日，电气和电子工程师协会（IEEE）公布，第46届PVSC光伏专家大会授予汉能美国子公司Alta Devices联合创始人、汉能集团科学家Harry Atwater教授“William R．Cherry光伏荣誉奖”。

William R．Cherry是光伏界的创始人之一，以他的名字设立的William R．Cherry奖创建于1980年，是业内最高级别学术奖项。该奖旨在表彰投身并致力于在提高光伏能源转换领域、做出重大科技贡献并极力倡导推广相关科技的工程师或科学家个人。

这也是继2017年Alta Devices联合创始人、集团资深专家Eli Yablonovitch教授因对太阳能电池器件物理科学与技术领域做出杰出贡献，在第44届PVSC大会上捧得William R．Cherry大奖之后，汉能科学家再获国际殊荣。一个团队两位重量级专家相继获得PV领域的权威大奖，充分证明了汉能Alta Devices在该领域的全球技术领先地位。

此次被提名的Harry Atwater是加州理工学院应用物理和材料科学霍华德·修斯教授（Howard Hughes Professor），是位于加州圣克拉拉的太阳能公司Alta Devices的联合创建人之一。而Yablonovitch教授还凭借杰出的科研成就当选为美国国家工程院、国家科学院、美国艺术与科学院院士，是伦敦皇家学会的外籍成员，并获得了其他多项著名奖项。他与Harry Atwater教授等联合创建了Alta Devices公司，致力于探索薄膜太阳能技术的科研与应用。

2014年，汉能全资并购了位于美国加州的Alta Devices，后者成为汉能旗下子公司。汉能Alta Devices致力于砷化镓（GaAs）移动能源技术，具有高转换效率，配以轻、薄、柔的特性，使薄膜太阳能芯片能够在不影响设计外观的情况下，广泛应用于汽车、无人机、无人驾驶系统、卫星、消费类电子产品、传感器、远程探测等各类应用领域。

如今，汉能Alta Devices研发的高转换率砷化镓薄膜太阳能电池已被波音公司、美国宇航局等先后应用于平流层永飞无人机以及国际空间站太阳能利用测试，这一技术路线的商业化潜力备受瞩目。随着技术研发的持续突破以及商用产业化的不断探索，Alta Devices也将为汉能在全球范围内推广薄膜太阳能技术、推动移动能源革命，提供更强大的技术支撑，奠定更加坚实的基础。

至此，汉能砷化镓双结太阳能电池转换率最高达到31．6％，并同时拥有砷化镓单结太阳能电池效率29．1％和组件效率25．1％两项世界纪录，其中单结电池转换效率的世界纪录在2010 年被Alta Devices突破，并连续6次被其团队刷新，进一步奠定了汉能在高效太阳能薄膜电池领域的绝对领先地位。

自2009年进入薄膜太阳能领域以来，汉能就一直专注于核心技术的突破。汉能创始人李河君认识到，未来能源的竞争是核心技术的竞争，谁掌握了核心技术，谁就掌握了能源。通过消化整合和自主创新，独占技术鳌头的汉能牢牢掌握了薄膜太阳能的科技话语权。此外，汉能还拥有包括优秀科学家在内的全球薄膜太阳能技术人员超过2000名，其中包括一大批国内外先进半导体和太阳能领域的科学家。

此次，汉能Alta Devices资深专家再次获业内最高级别奖项是对汉能薄膜太阳能技术全球领先性的充分肯定，汉能已经成为全球薄膜太阳能行业引领者，其不仅在技术上引领行业变革，还在技术产业化应用上也达到了世界级标准。未来汉能将继续以薄膜太阳能技术为核心，用更多元化创新技术和产品引领一场全球范围内的能源利用革命。