光伏百科：硅片清洗及原理

2012-05-28 09:14

　　清洗时，一般应在75～85℃条件下清洗、清洗15 分钟左右，然后用去离子水冲洗干净。Ⅰ号清洗剂（APM）和Ⅱ号清洗剂（HPM）有如下优点：

　　（1）这两种清洗剂能很好地清洗硅片上残存的蜡、松香等有机物及一些重金属如金、铜等杂质；

　　（2）相比其它清洗剂，可以减少钠离子的污染；

　　（3）相比浓硝酸、浓硫酸、王水及铬酸洗液，这两种清洗液对环境的污染很小，操作相对方便。

　　2.超声波在清洗中的作用

　　目前在半导体生产清洗过程中已经广泛采用超声波清洗技术。超声波清洗有以下优点：

　　（1）清洗效果好，清洗手续简单，减少了由于复杂的化学清洗过程中而带来的杂质的可能性；

　　（2）对一些形状复杂的容器或器件也能清洗。

　　超声波清洗的缺点是当超声波的作用较大时，由于震动磨擦，可能使硅片表面产生划道等损伤。

　　超声波产生的原理：高频震荡器产生超声频电流，传给换能器，当换能器产生超声震动时，超声震动就通过与换能器连接的液体容器底部而传播到液体内，在液体中产生超声波。

　　3.真空高温处理的清洗作用

　　硅片经过化学清洗和超声波清洗后，还需要将硅片真空高温处理，再进行外延生长。真空高温处理的优点：

　　（1）由于硅片处于真空状态，因而减少了空气中灰尘的玷污；

　　（2）硅片表面可能吸附的一些气体和溶剂分子的挥发性增加，因而真空高温易除去；

　　（3）硅片可能玷污的一些固体杂质在真空高温条件下，易发生分解而除去。

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