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光伏高效电池饕餮盛宴(二)

  4.高效晶体硅太阳能电池-HIT电池

  HIT 电池是异质结( hetero-junction with intrinsic thin-layer , HIT) 太阳能电池的简称。1997年,日本三洋公司推出了一种商业化的高效电池设计和制造方法,电池制作过程大致如下:利用PECVD在表面织构化后的N型CZ-Si片的正面沉积很薄的本征α-Si:H层和p型α-Si:H层,然后在硅片的背面沉积薄的本征α-Si:H层和n型α-Si:H层;利用溅射技术在电池的两面沉积透明氧化物导电薄膜(TCO),用丝网印刷的方法在TCO上制作Ag电极。值得注意的是所有的制作过程都是在低于200 ℃的条件下进行,这对保证电池的优异性能和节省能耗具有重要的意义。

        HIT电池具有高效的原理是:

  (1)全部制作工艺都是在低温下完成,有效地保护载流子寿命;

  (2)双面制结,可以充分利用背面光线;

  (3)表面的非晶硅层对光线有非常好的吸收特性;

  (4)采用的n型硅片其载流子寿命很大,远大于p型硅,并且由于硅片较薄,有利于载流子扩散穿过衬底被电极收集;

  (5)织构化的硅片对太阳光的反射降低;

  (6)利用PECVD在硅片上沉积非晶硅薄膜过程中产生的原子氢对其界面进行钝化,这是该电池取得高效的重要原因。

  2009年5月,这种电池的量产效率达到了19.5%,单元转化效率达到23%。

  HIT电池的工艺流程是:

  硅片-》清洗-》制绒-》正面沉积-》背面沉积-》TCO溅射沉积-》丝网印刷Ag电极-》测试

  这种电池具有结特性优秀、温度系数低、生产成本低廉和转换效率高等优点,所以在光伏市场上受到青睐,商业化生产速度发展很快,仅仅两三年时间,产品已占整个光伏市场的5%

图 3:三洋公司 HIT电池 h=23%

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