区熔硅单晶较一般电子级单晶硅具有更高纯度和更高电阻率，其产品销售价格数倍于直拉单晶。在应用领域上主要是用于IGBT器件、高压整流器、大功率晶闸管，可控硅、电力电子器件、光敏二极管、射线探测器、红外探测器以及国防建设、航天、航空和航海等尖端科技领域，对国民经济发展和国防建设有着十分重要的作用，目前市场存在很大缺口，具有非常广阔的产业前景。高压大功率IGBT功率器件的发展要求高质量的单晶硅，对硅晶体中杂质和缺陷的控制要求极高，因而，在将来相当长一段时间内6英寸及以上大直径区熔单晶硅始终是制造IGBT器件的主要基础材料。

　　无论是国际还是国内区熔单晶硅发展形势都非常好，但国内的大直径生产设备则全部是引进国外的，国内还没有具备生产大直径（5英寸以上）区熔单晶硅的设备的企业。 区熔单晶硅生长炉是生产区熔单晶硅片的关键设备之一，世界上生产和销售区熔炉的厂家只有丹麦的TOPSOE等少数几家公司，目前国内设备保有量仅有十几台，且大直径的区熔硅单晶炉都是进口，价格在2000万元人民币以上。而区熔单晶的制作工艺也需技术引进。公司的JQ-800区熔单晶炉的成功研制，填补了国内的这一项技术空白，具有划时代的历史意义。

　　由京运通公司研制的国产大型区熔单晶炉于近日连续成功拉制出6英寸区熔单晶硅棒，拉制出的首根6英寸区熔单晶棒整根重量达52公斤，等径长度1.1米，全长1.4米，这是大型区熔单晶硅炉研制的重大且可喜的进步。同时公司研制的区熔单晶炉之前拉制出的5英寸区熔单晶硅棒经第三方检验，结果显示该5英寸区熔单晶硅棒品质合格，各项指标均达到了设计要求。5英寸区熔单晶硅棒的质检合格报告及6英寸区熔单晶硅棒的成功拉制，意味着我公司的区熔单晶硅炉研制项目取得了重大技术成果！这是国内首次应用国产设备成功实现6英寸区熔单晶硅的工艺生产，是国产区熔设备研制的重大突破，也是国产区熔设备的历史性时刻，标志着国产区熔设备真正打破了国外对5-6英寸区熔单晶生产设备的垄断，是向大尺寸区熔单晶设备产业化迈进的重大一步，更预示着国产高端设备的崛起。

　　中科院联手香港中大 提高国产太阳能电池转化率

　　2012年11月16日消息，就在第一代中国光伏产业在欧美受阻之际，国内科研院所传来捷报，可取代“晶硅”原材料的第二代“铜铟镓硒”薄膜太阳能电池核心技术取得重大突破，赶超国际水平。

　　业内人士分析，中科院深圳先进技术研究院联合香港中文大学，深港携手，自主研发功高效低成本铜铟镓硒薄膜太阳能电池装备、工艺及产品。香港中文大学教授、中科院深圳深圳先进院光伏太阳能实验室主任肖旭东团队研制的“铜铟镓硒”太阳能电池效率已达到18.7%，迈入国际领先行列。

　　据介绍，中科院深圳先进技术研究院光伏太阳能研究中心自2008年成立以来一直致力于自主创新开发高效低成本铜铟镓硒薄膜太阳能电池装备、工艺及产品。目前，该中心承担了深圳市首个国家重大科学研究计划项目（深圳市首个）--“新型铜基化合物薄膜太阳能电池相关材料和器件的关键科学问题研究”、科学院重大科研装备、深圳市工程实验室、深圳市战略新兴产业公关项目等一批重要项目，并在铜铟镓硒太阳能电池研究领域不断取得突破：研发完成了国内第一套完全自主开发的铜铟镓锡薄膜太阳能电池研发、生产装备，并调试成功;设备在工艺上创新，在世界上第一次采用三步法工艺，结合测温监控组分来制备大面积铜铟镓硒电池组件的流水线装备;制备的铜铟镓硒太阳能电池效率达到18.7%，位列大中华区第一并迈入国际领先行列。项目成果已经在广东省科技厅组织下通过验收，达到国际先进水平。