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异质结非晶硅接触层的损耗机制被发现,有望提高效率

在PERC电池成为主流后,经过大规模量产和政策支持,光伏在全球大部分地区都进入了平价时代。但如果想要继续保持高速增长,光伏还需要更强的竞争力,才能让更多企业抛弃传统能源发电的方式,转向光伏的怀抱。降本增效就成为了重要课题。

在未来的太阳能电池技术中,异质结电池是被寄予厚望的一种技术,其转换效率上限比PERC电池技术要高很多,同时只需要4道工序就可制作完成。简单来说,就是在硅片的其中一面刷上、非晶N层、透明导电薄膜和导电极;另一面刷上非晶I层、非晶P层、透明导电薄膜和导电极,较为简单。

而PERC电池技术则有8道工序,因此异质结电池的优势比较明显,如果能解决设备国产化和低温银浆的成本问题,日后很大的发展前景。

近日,科学家用超高真空导电原子力显微镜(cAFM),发现了硅太阳能电池中非晶硅接触层的损耗机制。也即是上面提到的异质结电池四层工艺中材料的损耗机制,有利于帮助研发团队更好的利用非晶硅接触层,提高转换效率,在理想情况下,甚至可比PERC电池技术要高10%。

因此,本次科学家的发现对于异质结电池的发展有重大意义,或能加快异质结电池的大规模应用进程。

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