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太阳能光伏技术知识详解(二)

导读: 在第一期中,我们为大家概括介绍了太阳能发电原理、太阳能电池、太阳能电池组件、光伏控制器、光伏逆变器等内容。本期我们将着重说明太阳能电池的制造工艺详细流程、单晶硅和多晶硅的区别、单晶硅和多晶硅电池片的区别以及逆变器的概念。

  在第一期中,我们为大家概括介绍了太阳能发电原理、太阳能电池太阳能电池组件光伏控制器、光伏逆变器等内容。接下来将开始深入地讲解。本期我们将着重说明太阳能电池的制造工艺详细流程、单晶硅和多晶硅的区别、单晶硅和多晶硅电池片的区别以及逆变器的概念,将知识串连起来以便读者学习和了解。

  晶体硅太阳能电池的制造工艺流程

  晶体硅太阳能电池的制造工艺流程说明如下:

  (1)切片:采用多线切割,将硅棒切割成正方形的硅片

  (2)清洗:用常规的硅片清洗方法清洗,然后用酸(或堿)溶液将硅片表面切割损伤层除去30-50um。

  (3)制备绒面:用堿溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。

  (4)磷扩散:采用涂布源(或液态源,或固态氮化磷片状源)进行扩散,制成PN+结,结深一般为0.3-0.5um。

  (5)周边刻蚀:扩散时在硅片周边表面形成的扩散层,会使电池上下电极短路,用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。

  (6)去除背面PN+结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结。

  (7)制作上下电极:用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极,然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。

  (8)制作减反射膜:为了减少入反射损失,要在硅片表面上复盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2 ,SiO2 ,Al2O3 ,SiO ,Si3N4 ,TiO2 ,Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法,溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。

  (9)烧结:将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。

  (10)测试分档:按规定参数规范,测试分类。

  由此可见,太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法与半导体器件基本相同,生产的工艺设备也基本相同,但工艺加工精度远低于积体电路芯片的制造要求,这为太阳能电池的规模生产提供了有利条件。

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