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效率超21%!德国研发新型PERT光伏电池

  哈梅林太阳能研究所(ISFH)和汉诺威莱布尼兹大学的电子材料及器件研究所(MBE)已经成功完成“CHIP”项目。该项目以工业离子注入n型PERT(钝化发射极和背面电池,后共掺杂)太阳能电池来提升电池的转化效率。

  在CHIP项目中,植入损伤退火的驱动机制已经通过科学检查,其中特别关注非晶硼和非晶化BFX植入物。由于光伏注入机一般不配备大规模分离器,因此,主要是植入BF2,而不是基本的硼。

  退火过程处理工艺已经被应用于工业n型PERT电池处理过程当中,处理过程相当精简:156毫米×156个毫米大的n型直拉晶片经过双面纹理后,前侧注入硼或BF2,后侧注入磷。注入损伤经过高温退火(共退火),而BF2的使用使得退火所需的温度大大降低。

  退火后,前侧是被氧化铝/氮化硅叠层钝化,后侧被氮化硅钝化。接着,在正面和背面进行丝网印刷,然后进行共烧。利用细线印刷技术白银消费量可减少到最低限度。(Tina 译)

 

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