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准单晶技术总结
五，工艺流程
将直拉法得到的（100）晶向单晶棒进行开方，得到断面尺寸为156×156mm 的方柱，将其切成40～50mm 厚的块状籽晶。将25 块籽晶按5×5 的方式紧密排列平铺在内部尺寸为840×840×400mm 的标准石英坩埚内。在坩埚底部，放置时尽量使籽晶居中，即周边籽晶的最边沿面距坩埚内壁尺寸相近。籽晶上面再放置原生多晶，包括籽晶在内共装料430kg，掺杂剂为硼、稼或磷，掺杂后目标晶体的电阻率为1.50～2.0Ω.cm。装料后抽真空，控制功率进行加热;进入熔化阶段后，采用温度控制分段加温，到熔化最后一步将加热器控制温度调节至1540℃，保持至籽晶熔化阶段，待坩埚底部温度为1350℃，且底部升温速率为0.07℃/min 上下时，结束熔化步骤，跳转至长晶阶段。进入长晶阶段，快速将温度由1540℃降至1440℃，并关闭隔热板（笼）保持1h，之后将隔热板（笼）快速打开5cm，底部散热实现定向凝固，待界面生长平稳后，再分段将温度降1415℃，隔热板（笼）打开速度先后按0.5cm/h、0.7cm/h 的速度打开至20cm，达到稳定长晶。
将上述长成后的硅晶体，经退火、冷却得到硅锭。
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