创纪录低的势垒高度应导致Al和n型Si间极低的接触电阻。轻掺杂与重掺杂Si的接触电阻分别由下面二式给出：

　　任一情况中，接触电阻是势垒高度的指数函数。例如，Si中掺杂为1×1019cm-3时，势垒高度从0.6到0.4 eV适度地减少0.2eV就使接触电阻降低4个数量级！这就是降低n型Si上肖特基势垒能大大减少接触电阻的原因。低接触电阻对接触面积有限的指形电极是很重要的。它也能缓解由于Al电阻率较高而造成的指形电极电阻增加。更加重要的是，低接触电阻能在轻掺杂Si上实现，提供了硅片电池设计更多灵活性。

　　在Si（100）表面中止悬空键的另一结果是抑制了表面的化学活性。这就是抑制Al与Si合金化的机理，也抑制了无意中Si 的p型掺杂。

　　实验是通过检验在Se钝化Si（100）表面上Ni硅化进行的。在二片Si（100）硅片上淀积50nm Ni膜，一片有Se钝化，另一片没有Se钝化。在N2中400-700℃间加热这些样品60秒进行硅化，用透射电子显微镜检查Ni/Si界面。结果示于图3。对于没有Se且在400℃下退火的控制样品，观察到硅化，结果在Ni和Si间有二层硅化物堆叠（图3（a））。这证实了Foll等人早先对于Ni硅化的TEM研究。他们的结论是，二层堆叠分别为Ni2Si和NiSi。500℃退火后，单层NiSi出现在控制样品的Ni/Si界面（图3（b））。但是，钝化样品的表现完全不同。400℃退火后（图3（d）），Ni与Se钝化Si（100）表面间没有硅化而且界面陡削。500℃退火后，Ni与Se钝化Si（100）表面间仍然没有明显的反应（图3（e））。仅仅在600℃退火后，Ni与Se钝化Si（100）反应形成单层NiSi（图3（f））。因此，Ni/Se钝化Si（100）界面的热稳定性是～400℃。

　　上述结果说明，直到400℃均能防止Al与Si合金化，或直到400℃能抑制n型Si的无意p型掺杂。由于目前Al浆一般在750℃烧结，需要开发新的低温Al浆，用于以低于400℃烧结温度的n侧接触。若p侧Al浆仍然在750℃烧结，对于这样的全Al硅片太阳能电池就必须采用二步烧结工艺：第一次烧结在750℃用于p侧接触，第二次烧结在400℃用于n侧接触。二步烧结工艺似乎比目前的一步烧结工艺成本较高，不过，这或许是我们为了在硅片太阳能电池中避免用Ag不得不付出的代价。

　　结论

　　Si太阳能电池达到万亿瓦级规模的主要瓶颈之一是Ag的稀缺。根据材料的丰度和电阻率，得出的结论是，Cu和Al是指形电极Ag的合适替代品。讨论了Cu或Al替代Ag的一些挑战，包括抗氧化、接触电阻和阻挡层。过去有关这一课题的大多数工作集中于Cu，我们提出用价补钝化作为Al替代Ag时碰到的挑战的解决方案。 得到的初步结果支持我们的看法，这些结果包括：Al与Se钝化n型Si（100）表面间创纪录低的0.08eV肖特基势垒，直至～400℃ Se钝化Si（100）表面和Ni之间硅化的抑制。用价补钝化有可能构建全Al接触硅片太阳能电池，用于低成本万亿瓦规模的部署。