2月24日，“碳化硅衬底第一股”天岳先进正式递表港交所，拟申请公开发行不超过本次发行后公司总股本的15%的H股。

招股书显示，天岳先进专注于碳化硅（SiC）衬底材料的研发与生产，产品广泛应用于新能源汽车、AI数据中心、光伏等高景气度领域，此次赴港上市募资主要用于持续扩张国内外8英寸及更大尺寸碳化硅衬底产能、加强研发能力以及补充运营资金。

值得注意的是，碳化硅（SiC）——这种被称为“第三代半导体”的黑色晶体，正在引发新能源产业的一场静默革命。相较于传统硅基材料，碳化硅的耐高压、耐高温、高频特性可令电力系统损耗降低50%以上，系统体积缩减30%，这一颠覆性优势使其成为光伏逆变器、电动汽车、智能电网等领域的“效率倍增器”。

新能源革命的效率密码

在光伏电站的核心部件逆变器中，碳化硅器件正逐步替代硅基IGBT，实现效率跃升与成本优化的双重突破。实验数据显示，采用碳化硅MOSFET的组串式逆变器，转换效率可达99%，较传统方案提升2-3个百分点，且能量损耗降低超50%，。这意味着一个100MW的光伏电站，每年可多发约500万度电，相当于减少3000吨二氧化碳排放。更关键的是，碳化硅器件支持更高开关频率（可达硅基器件的10倍），使得电感、电容等无源元件体积大幅缩小，助推逆变器功率密度突破50kW/L，为屋顶光伏和分布式电站节省宝贵空间。

据预测，到2030年，碳化硅光伏逆变器市场规模将因大尺寸、高功率组件需求而快速增长，成为光伏降本增效的核心驱动力。

在新能源汽车领域，碳化硅的耐高压特性（击穿场强是硅的10倍），使其成为800V电动汽车架构的核心材料，实现电动汽车续航破局。搭载碳化硅主逆变器的车型，续航里程可增加5%-10%，充电时间缩短30%。保时捷Taycan、蔚来ET9等高端车型已率先应用，而比亚迪、特斯拉等企业正加速推进碳化硅电驱系统量产。此外，车载充电系统（OBC）采用碳化硅模块后，充电速度提升30%，并支持双向充放电，推动V2G（车网互动）技术落地。

行业测算显示，每辆电动汽车的碳化硅器件价值量约400-800美元，到2030年全球车用碳化硅市场规模将达100亿美元。

在风电领域，碳化硅作为叶片涂层材料，抗风蚀能力提升，风机寿命延长；在变流器中，其高频特性可缩小电感体积，降低系统成本。储能场景下，碳化硅器件的高温稳定性（工作温度＞200℃）和低损耗特性，助力储能变流器（PCS）实现更高能量密度和更宽温度适应性。

同时，碳化硅功率器件支持电网实时监控与智能调度，减少输电损耗，提升可再生能源接入比例。其抗电磁干扰特性保障了电网在复杂环境下的稳定运行，为虚拟电厂、微电网等新形态提供硬件基础。

市场前景广阔，中国实现反超

碳化硅产业75%的成本集中在衬底环节，其晶体生长速度慢（7天/炉）、良率低（行业平均约50%）的特性，导致全球产能长期受限。为突破瓶颈，头部企业各出奇招：美国Wolfspeed投资50亿美元建造全球最大8英寸碳化硅工厂；中国企业在液冷沉积炉、激光切割等设备领域加速国产替代，将晶锭切割损耗从300μm压缩至150μm。

下游生态也在重构，英飞凌推出“芯片—模块—系统”碳化硅交钥匙方案；华为联合中科院研发新型碳化硅封装技术，将热阻降低40%。与此同时，碳化硅与氮化镓的“组合拳”模式崭露头角——前者主攻高功率场景，后者聚焦高频应用，二者协同覆盖新能源全场景需求。

尽管欧美仍占据全球碳化硅专利的60%，但中国已在多个领域实现反超：天科合达突破碳化硅衬底“微管缺陷”控制技术，良率提升至65%；三安光电建成全亚洲最大6英寸碳化硅晶圆厂。更值得关注的是，中国在碳化硅国际标准制定中话语权增强——2024年，中国主导的《碳化硅功率模块测试方法》获国际电工委员会（IEC）采纳，打破了欧美长达二十年的标准垄断。

全球碳化硅市场正以年均30%以上增速扩张，预计2030年规模超百亿美元。未来，随着碳化硅成本下降（预计2025年衬底价格较2020年降幅超50%），其应用场景将进一步爆发，成为全球零碳转型不可或缺的“硬核”支撑。

       原文标题 : 脚踏两只船的材料，效率高，很抢手