半导体硅片的化学清洗技术
在光伏产业中，硅片的清洗是非常重要的一个环节，如果硅片没有清洗干净，那么后续的工艺就无法进行，报废硅片也将推高生产成本。硅片的清洗最早是开始于半导体行业，因此半导体硅片的清洗对光伏硅片的清洗有着重要的借鉴意义。
一、硅片的化学清洗工艺原理
硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：
A.、有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。
B.、颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。
太阳能级硅片
C. 金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：
a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。
b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。
硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。
a. 使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。
b. 用无害的小直径强正离子（如H+）来替代吸附在硅片表面的金属离子，使之溶解于清洗液中。
c. 用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。
自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：
⑴ 美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术。
⑵ 美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术。
⑶ 美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）。
⑷ 美国SSEC公司的双面擦洗技术（例M3304 DSS清洗系统）。
⑸ 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平。
⑹ 以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。
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