目前常用H2O2作强氧化剂，选用HCl作为H+的来源用于清除金属离子。

　　SC-1是H2O2和NH4OH的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除。

　　由于溶液具有强氧化性和络合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等使其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。

　　为此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。

　　SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与氧以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与Cl-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除

　　在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的效果。

　　二、 RCA清洗技术

　　传统的RCA清洗技术：所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统

　　清洗工序： SC-1 → DHF → SC-2

　　1. SC-1清洗去除颗粒：

　　⑴ 目的：主要是去除颗粒沾污（粒子）也能去除部分金属杂质

　　⑵ 去除颗粒的原理：

　　硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。

　　① 自然氧化膜约0.6nm厚，其与NH4OH、H2O2浓度及清洗液温度无关。

　　② SiO2的腐蚀速度，随NH4OH的浓度升高而加快，其与H2O2的浓度无关。

　　③ Si的腐蚀速度，随NH4OH的浓度升高而快，当到达某一浓度后为一定值，H2O2浓度越高这一值越小。

　　④ NH4OH促进腐蚀，H2O2阻碍腐蚀。

　　⑤ 若H2O2的浓度一定，NH4OH浓度越低，颗粒去除率也越低，如果同时降低H2O2浓度，可抑制颗粒的去除率的下降。

　　⑥ 随着清洗洗液温度升高，颗粒去除率也提高，在一定温度下可达最大值。

　　⑦ 颗粒去除率与硅片表面腐蚀量有关，为确保颗粒的去除要有一 定量以上的腐蚀。

　　⑧ 超声波清洗时，由于空洞现象，只能去除 ≥ 0.4 μm 颗粒。兆声清洗时，由于0.8Mhz的加速度作用，能去除 ≥ 0.2 μm 颗粒，即使液温下降到40℃也能得到与80℃超声清洗去除颗粒的效果，而且又可避免超声洗晶片产生损伤。

　　⑨ 在清洗液中，硅表面为负电位，有些颗粒也为负电位，由于两者的电的排斥力作用，可防止粒子向晶片表面吸附，但也有部分粒子表面是正电位，由于两者电的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附。

　　⑶。 去除金属杂质的原理：

　　① 由于硅表面的氧化和腐蚀作用，硅片表面的金属杂质，将随腐蚀层而进入清洗液中，并随去离子水的冲洗而被排除。

　　② 由于清洗液中存在氧化膜或清洗时发生氧化反应，生成氧化物的==能的绝对值大的金属容易附着在氧化膜上如：Al、Fe、Zn等便易附着在自然氧化膜上。而Ni、Cu则不易附着。

　　③ Fe、Zn、Ni、Cu的氢氧化物在高PH值清洗液中是不可溶的，有时会附着在自然氧化膜上。