半导体硅片的化学清洗技术

2012-06-22 07:56

　　5. 添加强氧化剂H2O2（E0=1.776V），比Cu2+ 离子优先从Si中夺取电子，因此硅表面由于H2O2 被氧化，Cu以Cu2+ 离子状态存在于清洗液中。即使硅表面附着金属Cu，也会从氧化剂H2O2 夺取电子呈离子化。硅表面被氧化，形成一层自然氧化膜。因此Cu2+ 离子和Si电子交换很难发生，并越来越不易附着。

　　DHF ＋界面活性剂的清洗

　　据报道在HF 0.5%的DHF液中加入界面活性剂，其清洗效果与HF + H2O2清洗有相同效果。

　　E. DHF＋阴离子界面活性剂清洗

　　据报道在DHF液，硅表面为负电位，粒子表面为正电位，当加入阴离子界面活性剂，可使得硅表面和粒子表面的电位为同符号，即粒子表面电位由正变为负，与硅片表面正电位同符号，使硅片表面和粒子表面之间产生电的排斥力，因此可防止粒子的再附着。

　　F. 以HF / O3 为基础的硅片化学清洗技术

　　此清洗工艺是以德国ASTEC公司的AD-（ASTEC-Drying）专利而闻名于世。其HF/O3 清洗、干燥均在一个工艺槽内完成，。而传统工艺则须经多道工艺以达到去除金属污染、冲洗和干燥的目的。在HF / O3清洗、干燥工艺后形成的硅片H表面（H-terminal）在其以后的工艺流程中可按要求在臭氧气相中被重新氧化。

　　五、总结

　　1.用RCA法清洗对去除粒子有效，但对去除金属杂质Al、Fe效果很小。

　　2. DHF清洗不能充分去除Cu，HPM清洗容易残留Al。

　　3. 有机物，粒子、金属杂质在一道工序中被全部去除的清洗方法，目前还不能实现。

　　4. 为了去除粒子，应使用改进的SC-1液即APM液，为去除金属杂质，应使用不附着Cu的改进的DHF液。

　　5. 为达到更好的效果，应将上述新清洗方法适当组合，使清洗效果最佳。

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