半导体硅片的化学清洗技术
在SC-1加入螯合剂，可使洗液中的金属不断形成螯合物，有利抑制金属的表面的附着。
2）。去除有机物： O3 + H2O
3）.SC-1液的改进： SC-1 + 界面活性剂芯片，
SC-1 + HF
SC-1 + 螯合剂
4）.DHF的改进：
DHF + 氧化剂（例HF+H2O2）
DHF + 阴离子界面活性剂
DHF + 络合剂
DHF + 螯合剂
5）酸系统溶液：
HNO3 + H2O2
HNO3 + HF + H2O2、
KHF + HCL
6）。其它： 电介超纯去离子水
1）。如硅片表面附着有机物，就不能完全去除表面的自然氧化层和金属杂质，因此清洗时首先应去除有机物。
2）。据报道在用添加2-10 ppm O3 的超净水清洗，对去除有机物很有效，可在室温进行清洗，不必进行废液处理，比SC-1清洗有很多优点。
HF ＋ H2O2清洗
1. 据报道用HF 0.5 % + H2O2 10 %，在室温下清洗，可防止DHF清洗中的Cu等贵金属的附着。
2. 由于H2O2氧化作用，可在硅表面形成自然氧化膜，同时又因HF的作用将自然氧化层腐蚀掉，附着在氧化膜上的金属可溶解到清洗液中，并随去离子水的冲洗而被排除。在APM清洗时附着在晶片表面的金属氢氧化物也可被去除。晶片表面的自然氧化膜不会再生长。
3. Al、Fe、Ni等金属同DHF清洗一样，不会附着在晶片表面。
4. 对n+、P+ 型硅表面的腐蚀速度比n、p 型硅表面大得多，可导致表面粗糙，因而不适合使用于n+、P+ 型的硅片清洗。
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