一、无主栅IBC电池

其特点是背面只印刷细栅线，无需印刷绝缘胶和主栅，相比主栅式IBC电池，制备工序简单、成本较低。但该类型的IBC电池在制作组件时需要专门的设备配套，且有较高的精度要求，导致组件端成本较高。

二、四主栅IBC电池

其特点是可使用常规焊接的方法制作组件，精度要求低，无需专门设备，适用性强。但在电池制备过程中需要印刷绝缘胶和主栅，电池工序相对复杂。

三、点接式IBC电池

其特点是无需印刷绝缘胶，主细栅一次印刷，电池工序简单；制作组件时，使用金属箔进行电池片互联，精度要求低于无主栅式。

目前中来光电已完成上述三类IBC电池的技术开发，同时也积极开展IBC电池的产业化探索。2018年底，通过对n－PERT电池线的升级改造，中来光电实现了IBC电池的批量生产，年产能约150MW。图3为量产线电池效率分布图，平均效率约22．8％。

▲图3． 中来光电IBC电池量产效率分布图

4．IBC电池的

未来前景

IBC电池的未来发展主要有两个方面：1）IBC电池的效率提升；2）IBC电池的产业化发展。

对于IBC电池效率的提升，可以从以下几个方面考虑：（1）优化背电极接触区域，降低接触电阻；（2）为防止电池短路且性能最优，需在电池背面p＋和n＋区域寻找合适宽度的本征区域；（3）使用体寿命较高的n型硅片作为基体，对其前后表面制备良好的钝化层，保持较高的少子寿命；（4）背面钝化层的引入需考虑背反射器的作用。同时为了进一步降低IBC电池的整体复合，已经有研究报道将钝化接触技术与IBC相结合，研发出TBC（Tunneling oxide passivated contact Back Contact）太阳电池；也有将非晶硅钝化技术与IBC相结合，开发出HBC太阳电池。

TBC电池主要是通过对传统IBC电池的背面进行优化设计，即用p＋和n＋的POLY－Si作为Emitter和BSF，并在POLY－Si与掺杂层之间沉积一层隧穿氧化层SiO2，使其具有更低的复合，更好的接触，更高的转化效率。目前已有报道出TBC电池转换效率可达26％以上。同时，Paul Procel等人也对此种电池结构进行了详细的模拟分析。

▲图4． 中来光电TBC电池结构示意图

HBC电池也已取得较好的研发进展，在2017年已经得到26．6％的世界记录效率。其Voc可以达到0．740V，Jsc达到42．5 mA／cm2，FF达84．6％。

而对于晶体硅太阳电池，Jsc的理论极限是43mA／cm2。HBC电池结构如图4所示，与传统IBC电池不同的是，背面的emitter和BSF区域为p＋非晶硅和n＋非晶硅层，在异质结接触区域插入一层本征非晶硅钝化层。对比表1数据，IBC与非晶硅钝化技术的结合无疑是未来IBC电池效率提升的方向。

▲图5． 26．6％效率的HBC电池结构示意图［3］

精简工艺步骤、降低制造成本，是实现IBC电池产业化的关键因素。比如，在IBC电池的制作过程中，可用丝网印刷、激光等目前主流晶体硅的技术代替光刻、电镀等高成本的贵族技术；同时，通过开发配套工艺和设备升级改造，以最小代价实现与目前规模化的生产线兼容的IBC工艺路线。

中来光电就是通过对原有n－PERT线的升级改造，实现了IBC电池的产业化。并且在后期的量产过程中，也会继续优化工艺， 以获得更低的制造成本。